日本furukawa氮化鋁陶瓷零件半導體制造設備

日本furukawa氮化鋁陶瓷零件半導體制造設備 FAN-090/FAN-170/FAN-200

半導體制造設備（用于前端工藝）需要應對更小的設計規(guī)則和更大的晶圓直徑（300mmφ或更大）。為此，構成設備的部件材料的選擇極其重要。

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日本furukawa氮化鋁陶瓷零件半導體制造設備 FAN-090/FAN-170/FAN-200 特點介紹

半導體制造設備（用于前端工藝）需要應對更小的設計規(guī)則和更大的晶圓直徑（300mmφ或更大）。為此，構成設備的部件材料的選擇極其重要。

氮化鋁（AlN）是一種平衡良好的材料，具有優(yōu)異的導熱性、熱輻射（散熱）、抗熱震性和電絕緣性，并且具有與硅晶片相匹配的熱膨脹性。

利用古河電子的燒成技術，我們還能夠制造550mmφ氮化鋁陶瓷部件。我們還將應對更大直徑的晶圓。

具有高導熱率和熱發(fā)射率，受熱均勻性高。

它具有抗熱沖擊能力，可以承受快速加熱和冷卻。

與硅相匹配的低熱膨脹。

對氟氣具有優(yōu)異的耐腐蝕性。

日本furukawa氮化鋁陶瓷零件半導體制造設備 FAN-090/FAN-170/FAN-200 規(guī)格參數

半導體制造裝置（CVD、蝕刻等）用各種基座、靜電吸盤、均熱板、真空吸盤、加熱器

虛擬晶圓

目標

化合物半導體制造設備零部件

?熱伝導?熱放射率が大きく、均熱性が高い。?熱衝撃に強く、急熱?急冷に耐える。?Si にマッチした低熱膨張で、溫度変化によるウェーハの変形を防ぎ、また、デポ膜の剝離によるパーティクル発生を低減する。?フッ素系ガス耐食性に優(yōu)れる。

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